第三代半導體(tǐ)适配的高熱導率和高帶隙多(duō)用(yòng)于光電(diàn)器件，如激光器、探測器、發光二極管等。同時，高介電(diàn)強度和高電(diàn)場電(diàn)子速度的特性多(duō)用(yòng)于電(diàn)子功率器件和微波射頻器件，如毫米波放大器和高功率放大器。　　

　　第三代半導體(tǐ)适配作(zuò)為(wèi)一種寬帶隙半導體(tǐ)材料，具(jù)有(yǒu)許多(duō)優異的物(wù)理(lǐ)特性。其體(tǐ)積小(xiǎo)、開關頻率高、工(gōng)作(zuò)電(diàn)壓高、高溫穩定性高，是制造高壓、高溫、抗輻射功率半導體(tǐ)器件的優良半導體(tǐ)材料，也是綜合性能(néng)好、産(chǎn)業化程度高、技(jì )術成熟的第三代半導體(tǐ)适配材料。

　　第三代半導體(tǐ)适配具(jù)有(yǒu)寬禁帶，高導熱耐高溫在高溫環境下穩定工(gōng)作(zuò)，減少了散熱設備的面積。未來車(chē)企或許可(kě)以将兩種水冷系統合二為(wèi)一，甚至直接采用(yòng)風冷系統，這将大大降低HEV驅動系統的成本，騰出更多(duō)的車(chē)身空間來裝(zhuāng)配更多(duō)的電(diàn)子元器件。

　　在同等功率水平的情況下，第三代半導體(tǐ)适配利用(yòng)器件可(kě)以使電(diàn)驅動和電(diàn)子控制的體(tǐ)積小(xiǎo)型化，可(kě)以滿足更高功率密度和更緊湊設計的要求，同時可(kě)以使電(diàn)動汽車(chē)的續航裏程更長(cháng)。

　　第三代半導體(tǐ)适配材料适用(yòng)于很(hěn)多(duō)場景。其中(zhōng)，功率器件因其耐高壓、耐高溫、低能(néng)耗、小(xiǎo)型化等特點，可(kě)廣泛應用(yòng)于電(diàn)動/混合動力汽車(chē)、充電(diàn)樁/充電(diàn)站、高速軌道交通、光伏逆變器等領域。

　　功率器件以其高頻、低損耗、低成本的特點，可(kě)廣泛應用(yòng)于智能(néng)終端快充、車(chē)規級充電(diàn)場景。微波器件因其高頻、高功率、效率高等特點，可(kě)廣泛應用(yòng)于宏基站、智能(néng)終端、軍用(yòng)雷達、衛星通信等領域。

　　近年來，随着技(jì )術的進步和下遊市場的拉動，第三代半導體(tǐ)适配已初步具(jù)備産(chǎn)業化基礎，價格已到了量産(chǎn)的“甜蜜點”。