半導體(tǐ)市場供需緊張關系長(cháng)期保持，尤其是第三代半導體(tǐ)适配等細分(fēn)領域，供不應求、價格上漲的情況進一步加劇。這個行業已經具(jù)有(yǒu)長(cháng)期投資價值。　　

　　第三代半導體(tǐ)适配材料和技(jì )術在構建可(kě)循環、可(kě)靠的能(néng)源網絡中(zhōng)發揮着至關重要的作(zuò)用(yòng)，可(kě)以幫助實現光伏、風電(diàn)(電(diàn)能(néng)生産(chǎn))、電(diàn)能(néng)傳輸、新(xīn)能(néng)源汽車(chē)等領域的電(diàn)能(néng)轉換，推動能(néng)源綠色低碳發展。

　　以新(xīn)能(néng)源汽車(chē)為(wèi)例。與傳統的矽片驅動新(xīn)能(néng)源汽車(chē)相比，第三代半導體(tǐ)适配材料驅動的新(xīn)能(néng)源汽車(chē)可(kě)以減少約5倍的能(néng)量損失。

　　對于光伏逆變器，由氮化镓和碳化矽制成的第三代半導體(tǐ)适配分(fēn)布式電(diàn)力電(diàn)子系統可(kě)以将太陽能(néng)微型和串聯逆變器的效率提高98%以上。氮化镓和碳化矽還可(kě)以通過降低無源元件的故障率，減少占地面積，節約安(ān)裝(zhuāng)成本，間接節約成本。同時，它們優越的導熱性減小(xiǎo)了逆變器中(zhōng)散熱器的尺寸，從而降低了材料成本。

　　在過去的十年中(zhōng)，第三代半導體(tǐ)适配的氮化镓已經成為(wèi)一種越來越重要的射頻應用(yòng)技(jì )術。氮化镓的材料特性使其器件在功率密度、形狀尺寸、擊穿電(diàn)壓、熱導率、工(gōng)作(zuò)頻率、帶寬和效率等方面具(jù)有(yǒu)優勢。與競争半導體(tǐ)技(jì )術相比，設計人員已經開發出具(jù)有(yǒu)吸引人的性能(néng)特征的器件解決方案。

　　報告進一步指出，從應用(yòng)方面來看，第三代半導體(tǐ)适配的功率組件主要應用(yòng)于消費類産(chǎn)品，其中(zhōng)消費電(diàn)子(60%)、新(xīn)能(néng)源汽車(chē)(20%)和通信與數據中(zhōng)心(15%)為(wèi)前三大應用(yòng)領域。

　　消費電(diàn)子已經成為(wèi)第三代半導體(tǐ)适配重要的應用(yòng)市場。随着消費電(diàn)子領域的快速發展，第三代半導體(tǐ)适配的應用(yòng)範圍也在不斷擴大，正在向新(xīn)基建涉及的5G、數據中(zhōng)心、新(xīn)能(néng)源汽車(chē)等領域滲透。