第三代半導體(tǐ)适配氮化镓是怎麽樣的?　　

　　目前，第三代半導體(tǐ)适配主要包括三組化合物(wù)半導體(tǐ)材料，碳化矽和氧化物(wù)半導體(tǐ)材料，其中(zhōng)氮化镓和氮化鋁是三組化合物(wù)半導體(tǐ)中(zhōng)常見的。氧化物(wù)半導體(tǐ)材料主要包括氧化鋅、氧化镓和鈣钛礦。第三代半導體(tǐ)适配具(jù)有(yǒu)寬禁帶、高擊穿電(diàn)場、高熱導率、高電(diàn)子飽和率和強抗輻射等優點，第三代半導體(tǐ)适配适合制作(zuò)高電(diàn)壓、高頻率、高抗電(diàn)流的器件，還可(kě)以降低器件的功耗。

　　氮化镓具(jù)有(yǒu)寬禁帶、高擊穿電(diàn)壓、高熱導率、飽和電(diàn)子漂移速度快、抗輻射能(néng)力強等特點。是理(lǐ)論上電(diàn)光和光電(diàn)轉換效率高的材料。

　　氮化镓的外延生長(cháng)基本化學(xué)原理(lǐ)是将蒸氣Ga(CH)3和氣态NH3引入反應室，在高溫下發生一系列反應，在襯底表面形成氮化镓外延層：

　　随着原料純度和工(gōng)藝的提高，這種方法逐漸成為(wèi)以砷化镓和磷铟為(wèi)代表的二代半導體(tǐ)材料和以氮化镓為(wèi)代表的第三代半導體(tǐ)适配材料的主要生長(cháng)工(gōng)藝。

　　優點是反應物(wù)以氣體(tǐ)形式進入反應室，通過控制各種氣體(tǐ)流量，可(kě)以控制外延材料的厚度、成分(fēn)和載流子密度。其次，反應室内氣體(tǐ)流動快，通過改變氣體(tǐ)可(kě)以獲得陡峭的異質(zhì)結界面。所得雜質(zhì)少，晶體(tǐ)質(zhì)量高;第三代半導體(tǐ)适配設備相對簡單，有(yǒu)利于大規模工(gōng)業化生産(chǎn)。

　　金屬有(yǒu)機化學(xué)氣相沉積在第三代半導體(tǐ)适配材料的制備中(zhōng)變得越來越重要。

　　第三代半導體(tǐ)适配氮化镓需要兩個化學(xué)反應：低溫反應和高溫反應。因此，反應器需要将反應室分(fēn)為(wèi)低溫區(qū)和高溫區(qū)。同時，在這個過程中(zhōng)，需要調整很(hěn)多(duō)參數來實現氮化镓薄膜的可(kě)控和沉積。