碳化矽材料和氮化镓産(chǎn)品等第三代半導體(tǐ)材料在市場上備受關注。 半導體(tǐ)運營商(shāng)封裝(zhuāng)制造商(shāng)也開始進入該領域。 随着這種第三代半導體(tǐ)适配材料具(jù)有(yǒu)更節能(néng)、高功率等優勢，應用(yòng)于5G通信、電(diàn)動汽車(chē)等高壓産(chǎn)品領域，有(yǒu)望實現未來市場的增長(cháng)，但事實上，碳化矽和氮化镓産(chǎn)品已經面市，但将大量生産(chǎn)技(jì )術上準入門檻相當高，市場商(shāng)機是否全部沾在雨露上可(kě)能(néng)還在考驗之中(zhōng)，那麽，下面一起了解下第三代半導體(tǐ)适配的應用(yòng)吧!　　

　　第三代半導體(tǐ)适配材料市場潛力可(kě)期

　　根據半導體(tǐ)材料分(fēn)類，一代半導體(tǐ)材料含有(yǒu)鍺和矽，也是目前大宗半導體(tǐ)材料，成本相對低廉，工(gōng)藝技(jì )術較為(wèi)成熟，應用(yòng)領域在信息産(chǎn)業和微電(diàn)子産(chǎn)業; 二代半導體(tǐ)材料包括砷化镓和铟磷，主要應用(yòng)于通信産(chǎn)業和照明産(chǎn)業的第三代半導體(tǐ)适配以碳化矽和氮化镓為(wèi)代表，可(kě)應用(yòng)于更高階的高壓功率元件和高頻通信元件領域。

　　碳化矽和氮化镓是同一第三代半導體(tǐ)适配材料，但應用(yòng)略有(yǒu)不同。 氮化镓主要用(yòng)于中(zhōng)壓領域約600伏的産(chǎn)品，部分(fēn)與矽材料市場重疊，但氮化镓移動性好，适合高頻産(chǎn)品，該特性在基站、5G等高速産(chǎn)品中(zhōng)有(yǒu)利。 碳化矽可(kě)以在電(diàn)動汽車(chē)用(yòng)、高鐵用(yòng)、工(gōng)業用(yòng)等更高壓下使用(yòng)，耐高溫性和高壓特性優異。

　　挑戰是批量生産(chǎn)難度大

　　由于第三代半導體(tǐ)适配材料在市場上很(hěn)受歡迎，很(hěn)多(duō)制造商(shāng)很(hěn)早就開始緻力于研發，有(yǒu)望成為(wèi)新(xīn)一代的有(yǒu)前途的股票。 但就業人士表示，生産(chǎn)一片碳化矽晶片并不容易。 困難的是從1張到100張、1000張的批量生産(chǎn)能(néng)力。 

　　就碳化矽而言，技(jì )術上的困難在于：作(zuò)為(wèi)結晶生長(cháng)源的晶種源要求相當高的純度，難以獲得;結晶生長(cháng)時間相當長(cháng)，就一般的矽材料的結晶生長(cháng)而言，平均約3-4天就可(kě)以生長(cháng)成1根結晶棒，但用(yòng)碳化矽結晶棒在晶體(tǐ)生長(cháng)過程中(zhōng)，随着溫度的監測和工(gōng)藝的穩定，為(wèi)了避免不良率惡化，延長(cháng)了時間，增加了晶體(tǐ)生長(cháng)過程中(zhōng)的難度，晶體(tǐ)生長(cháng)棒的生成。 

　　一代矽材料原料易得，工(gōng)藝技(jì )術比較成熟，但在高頻高壓應用(yòng)領域不如碳化矽和氮化镓産(chǎn)品。 随着5G等應用(yòng)領域的不斷擴大，一代矽材料的優勢受到抑制，但第三代半導體(tǐ)适配材料的發展成為(wèi)趨勢，商(shāng)家須關注并切入這一領域。

　　以上介紹的就是第三代半導體(tǐ)适配的應用(yòng)，如需了解更多(duō)，可(kě)随時聯系我們!