第三代半導體(tǐ)适配又(yòu)稱為(wèi)寬帶隙半導體(tǐ)，帶隙大于2.2eV，具(jù)有(yǒu)高擊穿電(diàn)場、高飽和電(diàn)子速度、高熱導率、高電(diàn)子密度和高遷移率等特點，越來越受到重視。

　　第三代半導體(tǐ)适配的性能(néng)優勢?

　　寬帶隙、高擊穿電(diàn)場強度、高包和電(diàn)子遷移率、高熱導率、低介電(diàn)常數和強抗輻射。

　　總的來說，第三代半導體(tǐ)适配的性能(néng)優勢是:耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻射、導電(diàn)性強、工(gōng)作(zuò)速度快、工(gōng)作(zuò)損耗低。

　　第三代半導體(tǐ)适配的主要用(yòng)途是什麽?

　　按材料分(fēn)類，第三代半導體(tǐ)适配材料主要有(yǒu)四類，主要用(yòng)途如下:

　　1.以氮化镓為(wèi)代表的第三族氮化物(wù)在軍事領域中(zhōng)用(yòng)于雷達、電(diàn)子對抗、導彈和無線(xiàn)通信。用(yòng)于民(mín)用(yòng)商(shāng)業領域的基站、衛星通信、有(yǒu)線(xiàn)電(diàn)視、手機充電(diàn)器等小(xiǎo)家電(diàn)。

　　2.SiC、DC，電(diàn)動汽車(chē)、消費電(diàn)子、新(xīn)能(néng)源、軌道交通等領域的交流輸變電(diàn)、溫度檢測與控制。

　　3.寬帶隙氧化物(wù)，通常代表氧化鋅ZnO，用(yòng)于壓力傳感器、存儲器件和柔性電(diàn)子器件。目前技(jì )術和應用(yòng)都不成熟，主要産(chǎn)品有(yǒu)發光二極管、激光器、納米發電(diàn)機、納米線(xiàn)晶體(tǐ)管、紫外探測器等。

　　4.金剛石，大功率紅外激光探測器，用(yòng)于光電(diàn)子、生物(wù)醫(yī)學(xué)、航空航天、核能(néng)等領域。該技(jì )術和應用(yòng)仍在開發中(zhōng)。